Viedtālruņu procesora pasaule ir diezgan viendimensionāla, it īpaši, ja runa ir par aparatūru, kas atrodama vadošajos tālruņos. Katru gadu ražotāji parasti var izvēlēties vienu augstākās klases procesoru, un parasti tā ir Qualcomm ražotā mikroshēma. 2016. gadā šis komponents ir iestatīts kā Qualcomm Snapdragon 820.
Skatiet saistītos 2016. gada labākos viedtālruņus: 25 labākie mobilie tālruņi, kurus varat iegādāties jau šodien Novembrī oficiāli prezentētais Qualcomm cer, ka Snapdragon 820 gan noteiks jaunus standartus mobilo procesoru telpā, gan pārvarēs problēmas, kas ir traucējušas tā priekšgājējam. Kopš tā pirmsākumiem Snapdragon 810 ir skārušas pārkaršanas problēmas, jo vairāki tālruņi, kuros ir izmantota mikroshēma, darbojas neērti karsti, kas ietekmē gan veiktspēju, gan akumulatora darbības laiku.
Qualcomm 820 apskats: kas jauns?
Qualcomm risinājums šim ir bijis atgriezties pie saviem CPU dizainiem. Tātad, tā vietā, lai izmantotu jau pieejamos ARM Cortex A53 un A57 centrālos procesorus, kā to darīja 810, Snapdragon 820 debitē uzņēmuma spožo jauno 2,2 GHz četrkodolu 64 bitu Kryo centrālo procesoru un īpaši ātro Adreno 530 GPU.
Qualcomm apgalvojumi ir tikpat pozitīvi kā vienmēr, taču šoreiz atkal tiek likts uzsvars uz efektivitāti, tāpat kā uz neapstrādātu veiktspēju, jo jaunajai mikroshēmai tiek izmantots tāds pats 14 nm ražošanas process kā Samsung jaunākajiem Exynos procesoriem.
Kryo centrālajam procesoram Qualcomm sola “līdz 2X veiktspēju” un “2X jaudas efektivitāti”. Adreno 530, kas ir ļoti svarīga spēlēšanai ar lielu grafiku, nodrošina 40% veiktspēju un enerģijas efektivitātes pieaugumu.
Tomēr veiktspējas un efektivitātes uzlabojumi ir arī citur. Jaunajam X12 4G modema komponentam ir 33% veiktspēja un 20% efektivitātes palielinājums, un ir veikti uzlabojumi Hexagon 680 DSP un Spectra ISP daļās, ko izmanto attiecīgi audio un attēlu apstrādei.
Savienojamības jomā Snapdragon 820 arī atbalsta MU-MIMO 802.11ac Wi-Fi un gaidāmo 802.11ad protokolu, lai gan pēdējais standarts ir tālu no tā ratifikācijas un parādīšanās jūsu mājas bezvadu maršrutētājā.
Kopumā Qualcomm apgalvo, ka jaunais SoC patērēs par 30% mazāk enerģijas nekā 810. Cik daudz tas ietekmēs akumulatora darbības laiku? Diemžēl ne tik daudz, kā varētu domāt. Tas nozīmē, ka 2016. gada viedtālruņi nedarbosies par 30% ilgāk nekā 2015. gada viedtālruņi, un tas ir tāpēc, ka SoC nav vienīgais viedtālruņa elements, kas prasa enerģiju. Ņemot vērā ievērojamo enerģijas patēriņu, ko nodrošina citi komponenti, jo īpaši ekrāns, krātuve un kamera, akumulatora darbības laiks, visticamāk, uzlabosies, taču ne par lielu.
Qualcomm 820 pārskats: agrīnie etaloni
Tātad, kā prasības sakrīt etalonos? Mums nebūs reālas pasaules skatījuma uz to, kamēr 2016. gada pirmajā pusē parādīsies pirmie viedtālruņi ar Snapdragon 820 mikroshēmu, taču Qualcomm deva mums iespēju izstrādāt dažus etalonus.
Izstrādes aparatūra, kas aprīkota ar 6,2 collu, 2560 x 1600 izšķirtspējas displeju, 3 GB LPDDR4 RAM un 64 GB UFS krātuvi, ir izstrādāta, lai parādītu mikroshēmojumu vislabākajā veidā, lai gan diemžēl jūs to nekad nevarēsit iegādāties.
Šeit ir to etalonu rezultāti, kurus varējām izpildīt. Esmu salīdzinājis skaitļus ar dažiem Snapdragon 810 tālruņiem un Samsung Exynos 7420 Galaxy S6, lai sniegtu jums priekšstatu par to, kā tas sakrīt ar pašreizējiem flagmaņiem.
Snapdragon 820 | Samsung Galaxy S6 (Exynos 7420) | OnePlus Two (Snapdragon 810) | Sony Xperia Z5 (Snapdragon 810) | |
GFXBench GL 3.0 Manhattan ekrānā | 26 kadri sekundē (2560 x 1600) | 15 kadri sekundē (2560 x 1440) | 23 kadri sekundē (1920x1080) | 27 kadri sekundē (1920x1080) |
GFXBench GL 3.0 Manhattan Offscreen (1080p) | 46 kadri sekundē | 23 kadri sekundē | 25 kadri sekundē | 26 kadri sekundē |
Geekbench 3 Single | 2,356 | 1,427 | 1,210 | 1,236 |
Geekbench 3 Multi | 5,450 | 4,501 | 4,744 | 3,943 |
Qualcomm Snapdragon 820 ir ātrāks nekā tā priekšgājējs, kas ir tieši tas, ko es gaidīju. Tomēr priekšrocības ir tas, kas piesaista uzmanību. Faktiski Snapdragon 820 katrā testā ir par vienu pakāpi ātrāks nekā Snapdragon 810.
1080p ārpusekrāna Manhetenas testā tas sasniedz divreiz lielāku kadru nomaiņas ātrumu nekā OnePlus Two, viena kodola Geekbench testā rezultāts ir par 95% augstāks un daudzkodolu testā tas ir par 15% lielāks. Snapdragon 820 ir arī ievērojami ātrāks nekā Exynos 7420 mikroshēma Samsung Galaxy S6, kas pati par sevi ir ātrāka par Snapdragon 810.
Qualcomm Snapdragon 820 apskats: spriedums
Snapdragon 820 nepārprotami ir mobilā procesora monstrs – lai to redzētu, atliek tikai ieskatīties testa rezultātu tabulā. Tomēr panākumu atslēga, iespējams, ir nevis tā neapstrādāts ātrums, bet gan slodzes apjoms, ko šāds sniegums nodrošina.
Tā kā lielākajai daļai augstākās klases viedtālruņu veiktspējas līmenis jau ir vairāk nekā pietiekams lielākajai daļai programmatūras un spēļu, visinteresantākā varētu izrādīties efektivitāte vai iespēja darbināt mikroshēmu ar lēnāku pulksteņa ātrumu, lai sasniegtu tādu pašu veiktspējas līmeni.
Kopā ar pāreju no 20 nm ražošanas procesa uz efektīvāku 14 nm, un viedtālruņa akumulatora darbības laiks 2016. gadā varētu izskatīties ievērojami savādāk nekā 2015. gadā. Man ir īkšķi.
Skatiet arī: 2015./2016. gada labāko viedtālruņu ceļvedis.